应用介绍
磁传感器的发展过程
第一代:Hall Effect Sensor--霍尔效应传感器
电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场纵向磁场感应。
第二代:AMR(Anisotropic Magneto Resistance)Sensor--各向异性磁电阻传感器
单磁层器件、平行磁场感应、工作场范围窄。
第三代:GMR(Giant Magneto Resistance) Sensor--巨磁电阻传感器
电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射。
第四代:TMR(Tunneling Magneto Resistance) Sensor--隧道磁电阻传感器
MR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义
具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则涌过--低电阻,否则不通过--高电阻)
室温条件下,TMR的最大电阻变化率(R/R)可达500%以上
优势:
功耗低
灵敏度/分辨率高
工作范围宽
工作温度范围大
高频响,可达GHZ。
源泰推荐的昆泰芯霍尔正是采用最新第四代TMR隧道磁电阻传感器,具有超高灵敏度(远距离磁场检测)、低温度漂移和超低功耗等特性。
昆泰芯磁传感器优势
昆泰芯的霍尔传感器采用3D霍尔技术,支持多个方向磁感应。昆泰芯霍尔采用最新第四代TMR隧道磁电阻传感器,具有超高灵敏度(远距离磁场检测)、低温漂移和超低功耗等特性。
产品应用场景
昆泰芯的磁传感器产品广泛应用于智能生活产品,自动化与机器人产品,以及汽车产品。
消费类产品应用
工业产品应用
汽车应用
企业实力 / Corporate strength